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2SK2866(F) |
TO-220-3 | Toshiba | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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2SK2866(F)参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB 包装数量：50 包装形式：散装 PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：600V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：750 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2040pF @ 10V 功率 - 最大值：125W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 圆形MS3101A20-18P Linear - LM833DGKT 圆形 - 外壳AFD50-22-12SN-6233 PMIC - 监控MAX701EPA 适配器PN-F672-E3 薄膜电容器B32652A4863K 热敏电阻 - NT128-202VMW-Q01 功率，高于 2 安DSP2A-L2-DC12V 风扇 - DCKD1204PKB3H Card EdgeECC60DRTF-S13 |
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